在系統(tǒng)中，由于感性負(fù)載的存在，在換流時(shí)，電感兩端會(huì)產(chǎn)生很大的反電勢(shì)。這個(gè)異常電壓加在晶閘管兩端，容易引起晶閘管損壞。為了防止這種情況，通常采用浪涌電壓吸收電路。 dv/dtdi/dt效應(yīng)問(wèn)題:晶閘管的斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt較大的時(shí)候，有可能在比它的正向轉(zhuǎn)折電壓低得 很多的電壓下導(dǎo)通。如果電路上的dv/dt超過(guò)器件許的dv/dt值時(shí)，閘管就會(huì)誤導(dǎo)通而失去阻斷能力。在應(yīng)用電路中，將晶閘管的門(mén)極通過(guò)電阻與陰極相連，從外部將位移電流旁路掉，以防止dvidt引起的誤導(dǎo)通， di/dt過(guò)大容易造成晶閘管擊穿，在電路中采用前沿陡的高電平觸發(fā)以增大 初始導(dǎo)通面積，從而改善di/dt容量。 由于dv/dt過(guò)大引起的誤導(dǎo)通和di/dt過(guò)大引起的晶閘管擊穿現(xiàn)象，其后果是十分嚴(yán)重的。通過(guò)原理電路可以 

看出，這種情況的出現(xiàn)會(huì)使變床器短路而產(chǎn)生“環(huán)流"，造成晶閘管其變床器的拐壞，在電路設(shè)計(jì)中，采用可靠的晶閘管通斷檢測(cè)措施，避免這種現(xiàn)象的發(fā)生。

過(guò)電壓、過(guò)電流保護(hù)措施: 過(guò)電壓的產(chǎn)生，主要有以下原因: 

(1)變壓器投入時(shí)的浪涌電壓

(2)變壓器抽頭轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓(3)雷擊侵入時(shí)的浪涌電壓

(4)直流回路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓。 在電路中，加入浪涌吸收器可以吸收變壓器一系統(tǒng)電磁轉(zhuǎn)移而侵入的浪涌電壓，同時(shí)還能吸收變壓器 通斷時(shí)產(chǎn)生的磁能。為避免雷擊侵入產(chǎn)生的浪涌電壓，可采用半導(dǎo)體避雷器。 消除環(huán)流是該穩(wěn)壓器的一大關(guān)鍵問(wèn)題，為了解決這一難題，我們 采取了如下技術(shù)措施:

(1)確保晶閘管的觸發(fā)信號(hào)可靠。利用軟件濾波程序使輸出觸發(fā)控制信號(hào)每組只有一個(gè)有效，其利用74LS273和研制的防環(huán)流邏輯電路

(PAL16V8)，以確保即使單片機(jī)失控的情況下也不會(huì)出現(xiàn)誤觸發(fā)

另外，觸發(fā)信號(hào)引線(xiàn)采用屏蔽線(xiàn)等措施，防止干擾

(2)確保轉(zhuǎn)換可靠。在正常工作時(shí)，經(jīng)常要改變補(bǔ)償電壓的大小，即要調(diào)整晶閘管的導(dǎo)通組合，如:使S1導(dǎo)通換為S2導(dǎo)通，則必須在關(guān)斷S1的同時(shí)給S2觸發(fā)控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)晶閘管的轉(zhuǎn)換。如果轉(zhuǎn)換的時(shí)機(jī)或者組合不當(dāng)就會(huì)形成環(huán)流，損壞晶閘管。在設(shè)計(jì)中采用了零點(diǎn)切換技術(shù)，即在電流過(guò)零時(shí)讓S1自然關(guān)斷，同時(shí)觸發(fā)S2使其導(dǎo)通。由此可見(jiàn)，在轉(zhuǎn)換過(guò)程中關(guān)鍵的是準(zhǔn)確檢測(cè)電流過(guò)零信號(hào)。為此，采取軟、硬件結(jié)合及互鎖技術(shù)，確零信號(hào)的準(zhǔn)確無(wú)誤。實(shí)際運(yùn)行表明:上述技術(shù)成功地解決了環(huán)流問(wèn)題。 感性負(fù)載的影響:由于感性負(fù)載的存在，應(yīng)考慮加大觸發(fā)脈沖寬度，否 則晶閘管在陽(yáng)極電流達(dá)到整住電流之前，觸發(fā)信號(hào)減弱，可能會(huì)造成晶閘管不能正常導(dǎo)通。在關(guān)斷時(shí)，感性負(fù)載也會(huì)給晶閘管造成一些問(wèn)題。